RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
67
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2042
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link