RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
67
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2042
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link