RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3076
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link