RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3076
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link