RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB 考慮すべき理由
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
バグを報告する
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 66
    周辺 -144% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    7.3 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1760 left arrow 3692

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
メモリRAM