RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
66
Por volta de -144% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
3692
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link