RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
バグを報告する
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 51
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2049 left arrow 2237

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAMの比較

Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM