RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
バグを報告する
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 49
    周辺 -158% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.7 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 20.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2116 left arrow 3735

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM