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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
比較する
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
72
周辺 32% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
8.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
10
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
72
読み出し速度、GB/s
10.0
15.3
書き込み速度、GB/秒
8.2
8.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2116
1817
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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