RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
72
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
72
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
1817
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link