RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3672
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link