RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2352
2660
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link