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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
46
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2352
2660
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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