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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
46
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2352
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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