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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
総合得点
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
46
周辺 9% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
46
読み出し速度、GB/s
15.7
16.0
書き込み速度、GB/秒
12.4
12.4
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2352
2660
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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