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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
49
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
34
読み出し速度、GB/s
10.0
13.9
書き込み速度、GB/秒
8.2
8.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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