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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2504
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre 8GB
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