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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2687

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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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