Comparação RAM Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 11.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.3 7.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 12800

Por volta de 1.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2057 2687

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns