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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3711

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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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