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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 27% 低遅延
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2765

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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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