RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 42
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3687

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
メモリRAM
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
メモリRAM