RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3687
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link