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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

総合得点
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 42
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3899

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Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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メモリRAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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