RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3899
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link