RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 44
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 5.6
    テスト平均値
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 8.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 1660

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
メモリRAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
メモリRAM