RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    75 left arrow 106
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 13.1
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.6 left arrow 2,072.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 106
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 1252

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAMの比較

Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
メモリRAM
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
メモリRAM