RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
75
106
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
2,072.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
106
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
5.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
1252
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link