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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
比較する
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
総合得点
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
総合得点
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
2,072.7
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
75
周辺 -159% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.6
2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
29
読み出し速度、GB/s
2,730.3
20.6
書き込み速度、GB/秒
2,072.7
16.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
3639
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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