Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

総合得点

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

総合得点

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16.6

テスト平均値

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 65

周辺 -124% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

15.2 1,574.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

65 29
読み出し速度、GB/s

3,858.9 16.6
書き込み速度、GB/秒

1,574.4 15.2
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

607 3629

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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