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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
総合得点
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
65
周辺 -124% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
1,574.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
29
読み出し速度、GB/s
3,858.9
16.8
書き込み速度、GB/秒
1,574.4
12.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
607
2816
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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