RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,201.1 left arrow 15.7
    テスト平均値
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 74
    周辺 -208% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    74 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    4,178.4 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,201.1 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    508 left arrow 3561

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB RAMの比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM