RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,201.1 left arrow 13.1
    テスト平均値
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 74
    周辺 -174% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    74 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,178.4 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,201.1 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    508 left arrow 3061

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
UMAX Technology 16GB
UMAX Technology 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
メモリRAM