RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,201.1 left arrow 10.8
    テスト平均値
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 74
    周辺 -139% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    74 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    4,178.4 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,201.1 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    508 left arrow 2816

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
メモリRAM