RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    73 left arrow 76
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.7
    テスト平均値
AMD R744G2606U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2606U1S 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 1809

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
メモリRAM