RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
76
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
76
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1809
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link