RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.5
    テスト平均値
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 73
    周辺 -143% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 2951

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
メモリRAM