RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2951
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link