RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2955
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link