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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

総合得点
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 73
    周辺 -92% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 9.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 1546

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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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