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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
73
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1546
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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