RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.4
    テスト平均値
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 73
    周辺 -115% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 2974

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
メモリRAM