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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
総合得点
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
32
周辺 9% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
32
読み出し速度、GB/s
10.5
16.5
書き込み速度、GB/秒
5.2
12.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1780
2974
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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