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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

总分
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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB 需要考虑的原因
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 32
    左右 9% 更低的延时
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    10.5 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1780 left arrow 2974

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB RAM的比较

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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内存RAM
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Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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