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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Compara
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1780
2974
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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