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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Comparez
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Note globale
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1780
2974
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Comparaison des RAM
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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