RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2124
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link