RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
10.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2124
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link