RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
58
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
58
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2591
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link