RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2534
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link